Agilent B1507A первый в отрасли анализатор емкости мощных полупроводниковых приборов, обеспечивающий автоматическое измерение емкости р-n-переходов в силовых электронных схемах при реальных значениях рабочего напряжения.
Благодаря все более активному использованию мощных полупроводниковых приборов, изготавливаемых из новых перспективных материалов, например, карбида кремния (SiC) и нитрида галлия (GaN), современные импульсные источники питания способны работать на более высоких частотах. В результате особую важность приобретает точное измерение емкости полупроводниковых устройств.
Анализатор емкости способен обеспечить точные автоматические измерения входной и выходной емкости транзисторов, а также величины емкости обратного перехода при высоком напряжении смещения.
Анализатор Agilent B1507A представляет собой функционально-законченное техническое решение для измерения и анализа всех параметров высокочастотных импульсных источников питания. Прибор позволяет измерять емкость между тремя электродами транзистора (Ciss, Coss и Crss) при высоких значениях напряжения смещения (до ±3 кВ), сопротивление затвора, а также ток утечки и напряжение пробоя, дополняя возможности характериографов, которые способны определять только вольт-амперные характеристики устройств.
Уникальный интуитивно понятный графический интерфейс позволяет даже начинающим пользователям автоматически измерять все виды емкости в широких пределах значений рабочего напряжения. Все это делает анализатор Agilent B1507A идеальным прибором, который дает возможность получать детальную информацию о параметрах проектируемых устройств, что помогает разработчикам силовых электронных схем выбрать нужную элементную базу для своих проектов, а изготовителям силовой электроники - максимально повысить полезность конечных продуктов и улучшить их характеристики.
Основные функциональные возможности анализатора Agilent B1507A включают:
простое, полностью автоматизированное измерение входной и выходной емкости транзисторов и емкости обратного перехода (Ciss, Coss, Crss, Cies, Coes, Cres) при высоком напряжении смещения,
а также емкости работающих в режиме обеднения полевых транзисторов на основе карбида кремния и нитрида галлия; измерение сопротивления затвора (Rg);
непрерывное измерение емкости при изменении полярности напряжения на затворе (например, с отрицательного на положительное);
поддержка всего процесса измерения емкости, который включает возможность простого и удобного перехода между измерениями тока утечки и емкости без необходимости переключения измерительных кабелей;
поддержка базовых измерений вольт-амперных характеристик, включая измерение напряжения пробоя и порогового напряжения.
