Закрыть
Регистрация
Закрыть
Логин:
Пароль:
Забыли свой пароль?
Регистрация

Российские специалисты разрабатывают силовые транзисторы нового поколения

События

Российские специалисты разрабатывают силовые транзисторы нового поколения 23.03.2016
Одноклассники Facebook LJ Twitter В Контакте

В Томске  специалисты АО «НПФ «Микран» совместно с учеными и студентами  ТУСУР ( Томский университет систем управления и радиоэлектроники)   работают над созданием технологии производства транзисторов нового поколения для энергоэффективной преобразовательной техники.

Уже созданы первые экспериментальные образцы изделий на основе нитрида-галлия, которые  по своим техническим характеристикам существенно превосходят транзисторы на основе  кремниевых полупроводников.  

 Как поясняет директор НОЦ  ( научно-образовательный центр) «Нанотехнологии» ТУСУР Дмитрий Зыков: "Использование нитрид-галлиевых силовых гетероструктурных транзисторов позволит повысить эффективность использования (преобразования) электроэнергии до 20% в различных электронных устройствах, при этом значительно уменьшив массу и габариты вторичных источников питания.

Например, если заменить кремниевые транзисторы на нитрид-галлиевые в ноутбуке, то отпадет необходимость в отдельном  приставном блоке питания, его можно будет разместить сразу в ноутбуке".

Новая технология, разработанная в  партнерстве АО «НПФ «Микран» и ТУСУР, прежде всего найдёт своё применение в специализированных областях в составе техники, работающей в особых условиях: например, в робототехнических комплексах арктического применения или в космических аппаратах.

В перспективе для этой технологии открывается  широкое поле для  применения в сфере промышленной электроники и в производстве энергосберегающей техники, а также на предприятиях радиоэлектронной промышленности. 

Внедрение  нитрид-галлиевых  технологий для производства силовых транзисторов  позволит, с одной стороны, повысить эффективность использования (преобразования) электроэнергии, а с другой стороны, обеспечить импортозамещение  зарубежных кремниевых устройств современными  отечественными силовыми приборами.

 "Внедрение нитрид-галлиевых  технологий позволит сформировать отечественный рынок силовых транзисторов  на основе опережающих решений. Сегодня в России около 90% полупроводниковых преобразователей выполнены на основе кремния и его соединений. Годовой объём импорта этих изделий  оценивается в сумму порядка  8-10 млрд. рублей,  с  имеющейся тенденцией к росту.

Однако уже сегодня ряд российских предприятий готовы производить бортовые системы электропитания и управления для авиации и космической техники, телекоммуникационное оборудование на основе нитрид-галлиевых технологий, обеспечивая конкурентоспособность своей продукции на мировом уровне. 

Тот факт, что российские предприятия сейчас будут использовать самые передовые технологии при создании новых производств позволит им обеспечить лидерство и на мировом рынке", - отмечает Дмитрий Зыков. 

Разработка  нитрид-галлиевых технологий  изготовления силовых коммутационных транзисторов для создания энергоэффективных источников вторичного электропитания выполняется в рамках федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014 - 2020 годы». 

Одним из конечных результатов выполнения проекта станут рекомендации по внедрению разработанной технологии в производство, которое будет выполнено на технологической базе АО «НПФ «Микран».


Источник:    сайт компании АО «НПФ «Микран»

ключевые слова:  силовые транзисторы, нитрид галлия, энергоэффективность

Возврат к списку