В Томске специалисты АО «НПФ «Микран» совместно с учеными и студентами ТУСУР ( Томский университет систем управления и радиоэлектроники) работают над созданием технологии производства транзисторов нового поколения для энергоэффективной преобразовательной техники.
Уже созданы первые экспериментальные образцы изделий на основе нитрида-галлия, которые по своим техническим характеристикам существенно превосходят транзисторы на основе кремниевых полупроводников.
Как поясняет директор НОЦ ( научно-образовательный центр) «Нанотехнологии» ТУСУР Дмитрий Зыков: "Использование нитрид-галлиевых силовых гетероструктурных транзисторов позволит повысить эффективность использования (преобразования) электроэнергии до 20% в различных электронных устройствах, при этом значительно уменьшив массу и габариты вторичных источников питания.
Например, если заменить кремниевые транзисторы на нитрид-галлиевые в ноутбуке, то отпадет необходимость в отдельном приставном блоке питания, его можно будет разместить сразу в ноутбуке".
Новая технология, разработанная в партнерстве АО «НПФ «Микран» и ТУСУР, прежде всего найдёт своё применение в специализированных областях в составе техники, работающей в особых условиях: например, в робототехнических комплексах арктического применения или в космических аппаратах.
В перспективе для этой технологии открывается широкое поле для применения в сфере промышленной электроники и в производстве энергосберегающей техники, а также на предприятиях радиоэлектронной промышленности.
Внедрение нитрид-галлиевых технологий для производства силовых транзисторов позволит, с одной стороны, повысить эффективность использования (преобразования) электроэнергии, а с другой стороны, обеспечить импортозамещение зарубежных кремниевых устройств современными отечественными силовыми приборами.
"Внедрение нитрид-галлиевых технологий позволит сформировать отечественный рынок силовых транзисторов на основе опережающих решений. Сегодня в России около 90% полупроводниковых преобразователей выполнены на основе кремния и его соединений. Годовой объём импорта этих изделий оценивается в сумму порядка 8-10 млрд. рублей, с имеющейся тенденцией к росту.
Однако уже сегодня ряд российских предприятий готовы производить бортовые системы электропитания и управления для авиации и космической техники, телекоммуникационное оборудование на основе нитрид-галлиевых технологий, обеспечивая конкурентоспособность своей продукции на мировом уровне.
Тот факт, что российские предприятия сейчас будут использовать самые передовые технологии при создании новых производств позволит им обеспечить лидерство и на мировом рынке", - отмечает Дмитрий Зыков.
Разработка нитрид-галлиевых технологий изготовления силовых коммутационных транзисторов для создания энергоэффективных источников вторичного электропитания выполняется в рамках федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014 - 2020 годы».
Одним из конечных результатов выполнения проекта станут рекомендации по внедрению разработанной технологии в производство, которое будет выполнено на технологической базе АО «НПФ «Микран».
Источник: сайт компании АО «НПФ «Микран»
ключевые слова:
силовые транзисторы, нитрид галлия, энергоэффективность
